PMST半導體參數(shù)分析儀簡介
PMST半導體參數(shù)分析儀集多種測量和分析功能一體,可精準測量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的靜態(tài)參數(shù),電壓可高達3KV,電流可高達4KA。詳詢一八一四零六六三四七六;該系統(tǒng)可測量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性,uΩ級電阻,pA級電流精準測量等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容,如輸入電容,輸出電容、反向傳輸電容等。
產品特點
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高電壓:支持高達3KV高電壓測試;
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大電流:支持高達4KA大電流測試;
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高精度:支持uΩ級電阻、pA級電流、uV級精準測量;
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豐富模板:內置豐富的測試模板,方便用戶快速配置測試參數(shù);
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配置導出:支持一鍵導出參數(shù)配置及一鍵啟動測試功能;
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數(shù)據預覽及導出:支持圖形界面以及表格展示測試結果,亦可一鍵導出;
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模塊化設計:內部采用模塊化結構設計,可自由配置,方便維護;
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可拓展:支持拓展溫控功能,方便監(jiān)控系統(tǒng)運行溫度;
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可定制開發(fā):可根據用戶測試場景定制化開發(fā);
技術指標
PMST半導體參數(shù)分析儀應用
功率器件如二極管、三極管、MOS管、IGBT、SIC、GaN;
普賽斯PMST半導體參數(shù)分析儀優(yōu)勢
單臺最大3000V輸出;
單臺最大1000A輸出,可并聯(lián)后最大4000A;
10us的超快電流上升沿;
同步測量;
國標全指標的自動化測試;