STF8N80K5

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意法半導體’的MOSFET產(chǎn)品采用先進的封裝，具有很寬的擊穿電壓范圍（-500 ~ 1500 V）、低柵極電荷和低導通電阻。 意法半導體’面向高、低壓MOSFET的工藝技術增強了功率處理能力，從而實現(xiàn)了高效解決方案。 產(chǎn)品的主要特性包括： 擊穿電壓范圍：-500 ~ 1500 V 30多種封裝選項，包括1-mm高表面貼裝PowerFLAT? 8x8 HV 為650 V功率MOSFET提供了世界上’最好的RDS(on) *區(qū)域值（0.029 ?、TO-247封裝） 改善了柵極電荷，降低了功耗，滿足了當今’極具挑戰(zhàn)性的效率要求 面向所選產(chǎn)品線的本征快速體二極管 在各個支持負載點、電信DC-DC轉換器、PFC、開關模式電源和汽車設備等應用的電壓范圍內(nèi)，意法半導體都有符合您設計要求的MOSFET。 意法半導體的新款600V MDmesh II Plus低Qg MOSFET系列產(chǎn)品具有極低的柵電荷（Qg）和出色的輸出電容Coss曲線，是諧振型電源（LLC轉換器）的理想之選，同時還支持PFC、TTF或反激式硬開關拓撲。與上一代產(chǎn)品（MDmesh II）相比，它大幅降低了柵電荷和開關損耗。高dv/dt穩(wěn)定性（50 V/ns）讓器件即使出現(xiàn)了大電壓瞬態(tài)（如AC電源線上的噪聲和諧波）也能可靠運行。 STF8N80K5 N-channel 800 V, 0.76 Ohm, 6 A Zener-protected SuperMESH(TM) 5 Power MOSFET in TO-220FP 預覽 These N-channel Zener-protected Power MOSFETs are designed using ST’s revolutionary avalanche-rugged very high voltage SuperMESH? 5 technology, based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance, and ultra-low gate charge for applications which require superior power density and high efficiency. 下載 數(shù)據(jù)表 Key Features Worldwide best FOM (figure of merit) Ultra low gate charge 100% avalanche tested Zener-protected